一臺(tái)電腦，配置為：P4賽揚(yáng)1.8GHz、256MB DDR266內(nèi)存、i845GL主板、40GB硬盤(pán)。原來(lái)比較穩(wěn)定，不久前把P4賽揚(yáng)1.8GHz100MHz×18超到2.4GHz(133MHz×18)，結(jié)果死機(jī)了，只好清空BIOS設(shè)置，再啟動(dòng)進(jìn)入BIOS的“Standard CMOS Feature”選項(xiàng)，把“Drive A”設(shè)置為“None”，保存后開(kāi)機(jī)成功，可以進(jìn)入Windows了。

　　在玩一個(gè)3D游戲時(shí)，出現(xiàn)了花屏現(xiàn)象，但是超頻前玩這款游戲時(shí)卻沒(méi)有出現(xiàn)花屏哦。超頻前正常，而超頻后只進(jìn)行過(guò)清空BIOS的操作，難道與清空BIOS設(shè)置有關(guān)？仔細(xì)檢查集成顯卡的設(shè)置選項(xiàng)，都沒(méi)有問(wèn)題哦。

　　在檢查內(nèi)存參數(shù)設(shè)置時(shí)，發(fā)現(xiàn)“CAS Latency Time”被默認(rèn)設(shè)置為3，“Active to Precharge Delay”被默認(rèn)設(shè)置為5，“DRAM RAS# to CAS# Delay”被默認(rèn)設(shè)置為為3，“DRAM RAS# Precharge”被默認(rèn)設(shè)置為3。終于明白了原因，原來(lái)在清空BIOS設(shè)置后，系統(tǒng)所默認(rèn)設(shè)置的內(nèi)存參數(shù)較低，而集成顯卡在運(yùn)行時(shí)要調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存，特別是在運(yùn)行大型3D游戲時(shí)，對(duì)內(nèi)存要求較高。于是把“CAS Latency Time”設(shè)置為2，“Active to Precharge Delay”設(shè)置為5，“DRAM RAS# to CAS# Delay”設(shè)置為2，“DRAM RAS# Precharge”設(shè)置為2，保存后進(jìn)入Windows，運(yùn)行剛才的3D游戲，果然沒(méi)有出現(xiàn)花屏了。